搭載 KJTD 自研HIS3-HF 超寬帶高頻超聲發(fā)射接收主機,通過 PVDF 高分子高頻水浸探頭向靜電卡盤陶瓷基體發(fā)射 MHz 級高頻超聲波;
超聲波穿過氧化鋁陶瓷介質(zhì),在陶瓷 - 金屬電極、陶瓷 - 水冷基板、粘接界面、內(nèi)部缺陷處產(chǎn)生反射回波;
6 軸高精度運動平臺全域掃描采集回波幅值、相位、時延數(shù)據(jù);
專用 MURAI 圖像處理算法合成 B 掃描斷面圖、C 掃描平面云圖,直觀呈現(xiàn)缺陷位置、面積、深度、分層狀態(tài),全程無損不損傷高價值靜電卡盤工件。
脈沖發(fā)射電壓:空載 - 200V,窄脈沖激勵,近表面檢測盲區(qū)極小;
工作帶寬:10MHz~125MHz 高頻適配,適配陶瓷薄壁、薄層電極檢測;
重復(fù)頻率(PRF)最高 2kHz,高速掃描保障產(chǎn)能;
增益調(diào)節(jié):0~80dB 連續(xù)可調(diào),適配厚陶瓷基體與薄層界面差異化檢測。
直線軸:X=500mm、Y=400mm、Z=300mm,可覆蓋 12/18/300mm 全尺寸晶圓用靜電卡盤;
旋轉(zhuǎn)軸 R:工作臺轉(zhuǎn)盤 φ300mm,θ1±110°、θ2±45°,異形圓弧型卡盤、環(huán)形卡盤適配;
定位重復(fù)精度:±2μm,微米級缺陷定位,匹配半導(dǎo)體精密質(zhì)檢要求。
工業(yè)工控機 + Windows 專業(yè)檢測軟件,實時同步顯示B 掃描(深度剖面)+C 掃描(平面全域);
KJTD 獨1家MURAI 智能缺陷成像算法:支持二值化、2 色、16 階、256 階彩色梯度成像,缺陷邊界銳化,區(qū)分粘接弱結(jié)合、完1全剝離、內(nèi)部氣孔、微裂紋、電極斷線空洞;
原始超聲波形存儲、缺陷尺寸自動測算、厚度云圖、缺陷面積統(tǒng)計、檢測報告一鍵導(dǎo)出;
最大采樣點數(shù) 4000 萬點 / 單次掃描,高密度成像無細(xì)節(jié)丟失。
20MHz/35MHz:厚壁陶瓷基體、基板焊接層檢測;
80MHz/100MHz/125MHz:表層介電層、薄膜電極、近表面微剝離、微米級氣孔檢測。
陶瓷本體缺陷檢測
氧化鋁陶瓷燒結(jié)氣孔、燒結(jié)微裂紋、邊角磕碰暗裂、內(nèi)部雜質(zhì)團聚,規(guī)避真空熱循環(huán)下陶瓷炸裂風(fēng)險。
電極層完整性檢測
卡盤內(nèi)部鎢 / 鉬金屬電極圖案斷線、電極空洞、電極與陶瓷介質(zhì)層剝離,判斷高壓靜電加載均勻性。
層間粘接界面檢測(核心用途)
陶瓷層與金屬底座、水冷結(jié)構(gòu)粘接層局部脫粘、整面分層、膠層氣泡,是靜電卡盤老化失效最主要誘因。
水冷腔體密封性檢測
內(nèi)置水冷流道側(cè)壁壁厚缺陷、流道焊接微氣孔、水冷層界面滲水隱患預(yù)判。
返修 / 再生卡盤復(fù)檢
卡盤表面研磨翻新后,檢測內(nèi)部是否產(chǎn)生隱性層間應(yīng)力開裂,判定是否可二次上機使用。
必須純水耦合檢測,超薄陶瓷(<0.3mm)近表面盲區(qū)需搭配超高頻探頭補償;
無法檢測完1全密閉金屬屏蔽內(nèi)層缺陷,適配陶瓷外露結(jié)構(gòu)靜電卡盤。
靜電卡盤制造商出廠全檢
陶瓷燒結(jié)后半成品檢測、電極燒結(jié)后檢測、總成粘接完成終檢,分級良品 / 返工品 / 報廢品。
半導(dǎo)體設(shè)備廠商來料 IQC 檢驗
刻蝕機、薄膜設(shè)備原廠卡盤入庫前質(zhì)量核驗,規(guī)避不良部件裝機。
Fab 工廠卡盤運維失效分析
產(chǎn)線異常(晶圓翹曲、靜電吸附異常、腔體打火)拆機后,用 SDS-34000 逆向定位內(nèi)部缺陷根因。
二手卡盤翻新再生驗證
舊卡盤翻新修復(fù)后,超聲成像驗證修復(fù)界面粘接質(zhì)量,評估上機使用壽命。
精密陶瓷結(jié)構(gòu)件拓展檢測
陶瓷吸盤、陶瓷真空吸盤、陶瓷絕緣基座、異種金屬陶瓷封接件通用無損檢測。
同定位日系設(shè)備:奧林巴斯 C-SAM 超聲掃描顯微鏡、日立高新超聲探傷設(shè)備;
國產(chǎn)對標(biāo):超聲掃描顯微鏡 C-SAM 水浸檢測系統(tǒng);
SDS-34000 差異化:半導(dǎo)體陶瓷專項算法、六軸大行程工作臺、HIS 系列高頻超聲主機信噪比更強,在厚陶瓷多層復(fù)合卡盤穩(wěn)定性更優(yōu)。